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SSM6N357R,LF

SSM6N357R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Modèle de produit:
SSM6N357R,LF
Fabricant / marque:
Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit:
SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
Livret des spécifications:
SSM6N357R,LF.pdf
État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock:
340531 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de SSM6N357R,LF

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Modèle de produit SSM6N357R,LF Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 340531 pcs stock Fiche technique SSM6N357R,LF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Package composant fournisseur 6-TSOP-F
Séries - Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Puissance - Max 1.5W (Ta) Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads Autres noms SSM6N357R,LF(B
SSM6N357RLFTR
Température de fonctionnement 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 12V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V
type de FET 2 N-Channel (Dual) Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 60V Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 650mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 650mA (Ta)  
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