Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Modèle de produit | RN1314(TE85L,F) | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 1463268 pcs stock | Fiche technique | RN1314(TE85L,F).pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased | Package composant fournisseur | USM |
| Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 1 kOhms | Puissance - Max | 100mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SC-70, SOT-323 |
| Autres noms | RN1314(TE85LF) RN1314(TE85LF)-ND RN1314(TE85LF)TR RN1314TE85LF |
Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | RN131* | ||
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