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Produits semi-conducteurs discrets
Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé
PDTD123TK,115

PDTD123TK,115

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NXP Semiconductors / Freescale
Modèle de produit:
PDTD123TK,115
Fabricant / marque:
NXP Semiconductors / Freescale
Description du produit:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Livret des spécifications:
État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock:
4044 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de PDTD123TK,115

NXP Semiconductors / Freescale
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Modèle de produit PDTD123TK,115 Fabricant NXP Semiconductors / Freescale
La description TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4044 pcs stock Fiche technique
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased Package composant fournisseur SMT3; MPAK
Séries - Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms
Puissance - Max 250mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Autres noms 934059204115
PDTD123TK T/R
PDTD123TK T/R-ND
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA Numéro de pièce de base PDTD123
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