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Transistors - FET, MOSFET - Single
IPP16CN10LGXKSA1

IPP16CN10LGXKSA1

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International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
Modèle de produit:
IPP16CN10LGXKSA1
Fabricant / marque:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit:
MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
Livret des spécifications:
IPP16CN10LGXKSA1.pdf
État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock:
5044 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de IPP16CN10LGXKSA1

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
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Modèle de produit IPP16CN10LGXKSA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5044 pcs stock Fiche technique IPP16CN10LGXKSA1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 61µA Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur PG-TO-220-3
Séries OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.7 mOhm @ 54A, 10V
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc) Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Autres noms IPP16CN10L G
IPP16CN10L G-ND
SP000308793
SP000680878
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4190pF @ 50V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 100V
Description détaillée N-Channel 100V 54A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc)
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