Modèle de produit | IPA65R660CFDXKSA1 | Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
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La description | MOSFET N-CH 650V 6A TO220 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 92960 pcs stock | Fiche technique | IPA65R660CFDXKSA1.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | PG-TO220 Full Pack |
Séries | CoolMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 27.8W (Tc) | Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack | Autres noms | IPA65R660CFD IPA65R660CFD-ND SP000838284 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 100V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
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