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Transistors - FET, MOSFET - Single
IPA65R660CFDXKSA1

IPA65R660CFDXKSA1

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International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
Modèle de produit:
IPA65R660CFDXKSA1
Fabricant / marque:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Description du produit:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Livret des spécifications:
IPA65R660CFDXKSA1.pdf
État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock:
92960 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de IPA65R660CFDXKSA1

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
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Modèle de produit IPA65R660CFDXKSA1 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 650V 6A TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 92960 pcs stock Fiche technique IPA65R660CFDXKSA1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur PG-TO220 Full Pack
Séries CoolMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipation de puissance (max) 27.8W (Tc) Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack Autres noms IPA65R660CFD
IPA65R660CFD-ND
SP000838284
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 615pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 650V
Description détaillée N-Channel 650V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)
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