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MMIX4G20N250

MMIX4G20N250

IXYS Corporation
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IXYS CorporationIXYS Corporation
Modèle de produit:
MMIX4G20N250
Fabricant / marque:
IXYS Corporation
Description du produit:
MOSFET N-CH
Livret des spécifications:
MMIX4G20N250.pdf
État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock:
1410 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de MMIX4G20N250

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Modèle de produit MMIX4G20N250 Fabricant IXYS Corporation
La description MOSFET N-CH État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1410 pcs stock Fiche technique MMIX4G20N250.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 2500V Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 20A
Package composant fournisseur 24-SMPD Séries -
Puissance - Max 100W Package / Boîte 24-SMD Module, 9 Leads
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) NTC thermistance No
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 26 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Contribution Standard type de IGBT -
Description détaillée IGBT Array Full Bridge 2500V 23A 100W Surface Mount 24-SMPD Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 23A Configuration Full Bridge
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