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Transistors - IGBT - Single
IXYN75N65C3D1

IXYN75N65C3D1

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IXYS CorporationIXYS Corporation
Modèle de produit:
IXYN75N65C3D1
Fabricant / marque:
IXYS Corporation
Description du produit:
IGBT
Livret des spécifications:
IXYN75N65C3D1.pdf
Etat du stock:
4263 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de IXYN75N65C3D1

IXYS CorporationIXYS Corporation
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Modèle de produit IXYN75N65C3D1 Fabricant IXYS Corporation
La description IGBT État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 4263 pcs stock Fiche technique IXYN75N65C3D1.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A
Condition de test 400V, 60A, 3 Ohm, 15V Td (marche / arrêt) à 25 ° C 26ns/93ns
énergie de commutation 2mJ (on), 950µJ (off) Package composant fournisseur SOT-227B
Séries XPT™, GenX3™ Temps de recouvrement inverse (trr) 65ns
Puissance - Max 600W Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Chassis Mount
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks Type d'entrée Standard
type de IGBT - gate charge 122nC
Description détaillée IGBT 650V 150A 600W Chassis Mount SOT-227B Courant - Collecteur pulsée (Icm) 360A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 150A  
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