Modèle de produit | SQD100N03-3M4_GE3 | Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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La description | MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA | État sans plomb / État RoHS | |
Quantité disponible | 73787 pcs stock | Fiche technique | SQD100N03-3M4_GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-252AA |
Séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 136W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7349pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | N-Channel 30V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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