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EPC2105

EPC2105

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EPCEPC
Modèle de produit:
EPC2105
Fabricant / marque:
EPC
Description du produit:
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Livret des spécifications:
EPC2105.pdf
État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock:
16253 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de EPC2105

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Modèle de produit EPC2105 Fabricant EPC
La description TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 16253 pcs stock Fiche technique EPC2105.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA Package composant fournisseur Die
Séries eGaN® Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max - Emballage Original-Reel®
Package / Boîte Die Autres noms 917-1185-6
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET GaNFET (Gallium Nitride) Tension drain-source (Vdss) 80V
Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.5A, 38A
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