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S29GL512T11DHIV10

S29GL512T11DHIV10

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Cypress SemiconductorCypress Semiconductor
Modèle de produit:
S29GL512T11DHIV10
Fabricant / marque:
Cypress Semiconductor
Description du produit:
IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
Livret des spécifications:
S29GL512T11DHIV10.pdf
État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock:
11872 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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Spécifications de S29GL512T11DHIV10

Cypress SemiconductorCypress Semiconductor
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Modèle de produit S29GL512T11DHIV10 Fabricant Cypress Semiconductor
La description IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 11872 pcs stock Fiche technique S29GL512T11DHIV10.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60ns Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
La technologie FLASH - NOR Package composant fournisseur 64-FBGA (9x9)
Séries GL-T Emballage Tray
Package / Boîte 64-LBGA Autres noms 428-3617
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 512Mb (64M x 8) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire FLASH Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-FBGA (9x9) Temps d'accès 110ns
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