Modèle de produit | MUN5136T1 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
Quantité disponible | 4458 pcs stock | Fiche technique | MUN5136T1.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased | Package composant fournisseur | SC-70-3 (SOT323) |
Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 100 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms | Puissance - Max | 202mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SC-70, SOT-323 |
Autres noms | MUN5136T1OS | Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323) | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | MUN51**T |
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