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Produits semi-conducteurs discrets
Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé
MUN5136T1

MUN5136T1

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modèle de produit:
MUN5136T1
Fabricant / marque:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Livret des spécifications:
MUN5136T1.pdf
État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock:
4458 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de MUN5136T1

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modèle de produit MUN5136T1 Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4458 pcs stock Fiche technique MUN5136T1.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased Package composant fournisseur SC-70-3 (SOT323)
Séries - Résistance - Base de l'émetteur (R2) 100 kOhms
Résistance - Base (R1) 100 kOhms Puissance - Max 202mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte SC-70, SOT-323
Autres noms MUN5136T1OS Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323) Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base MUN51**T  
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