Modèle de produit | KSB811GBU | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | TRANS PNP 25V 1A TO-92S | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5823 pcs stock | Fiche technique | KSB811GBU.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 25V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Transistor Type | PNP | Package composant fournisseur | TO-92S |
Séries | - | Puissance - Max | 350mW |
Emballage | Bulk | Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 110MHz | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 1A 110MHz 350mW Through Hole TO-92S |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1A | Numéro de pièce de base | KSB811 |
FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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