AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Modèle de produit | FJN4309RTA | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 1290118 pcs stock | Fiche technique | FJN4309RTA.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 40V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased | Package composant fournisseur | TO-92-3 |
| Séries | - | Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max | 300mW | Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Autres noms | FJN4309RTACT |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 2 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 200MHz | Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA | Numéro de pièce de base | FJN4309 |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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