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DSF01S30SC(TPL3)

DSF01S30SC(TPL3)

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Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Modèle de produit:
DSF01S30SC(TPL3)
Fabricant / marque:
Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit:
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
Livret des spécifications:
DSF01S30SC(TPL3).pdf
État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock:
5485 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de DSF01S30SC(TPL3)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Modèle de produit DSF01S30SC(TPL3) Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5485 pcs stock Fiche technique DSF01S30SC(TPL3).pdf
Tension - Inverse de crête (max) Schottky Tension - directe (Vf) (max) @ Si 100mA
Tension - Ventilation SC2 Séries -
État RoHS Tape & Reel (TR) Temps de recouvrement inverse (trr) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F 9.3pF @ 0V, 1MHz Polarisation 2-SMD, No Lead
Autres noms DSF01S30SC(TPL3)TR
DSF01S30SCTPL3
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Référence fabricant DSF01S30SC(TPL3)
Description élargie Diode Schottky 30V 100mA Surface Mount SC2 Configuration diode 50µA @ 30V
La description DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2 Courant - fuite, inverse à Vr 500mV @ 100mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 30V Capacité à Vr, F 125°C (Max)
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