GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor| Modèle de produit | MBR300200CTR | Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 1662 pcs stock | Fiche technique | MBR300200CTR.pdf |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 920mV @ 150A | Tension - inverse (Vr) (max) | 200V |
| Package composant fournisseur | Twin Tower | La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | Twin Tower | Température d'utilisation - Jonction | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode | Schottky | Configuration diode | 1 Pair Common Anode |
| Description détaillée | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 150A Chassis Mount Twin Tower | Courant - fuite, inverse à Vr | 3mA @ 200V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 150A | ||
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