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MBR300100CT

MBR300100CT

GeneSiC Semiconductor
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GeneSiC SemiconductorGeneSiC Semiconductor
Modèle de produit:
MBR300100CT
Fabricant / marque:
GeneSiC Semiconductor
Description du produit:
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Livret des spécifications:
1.MBR300100CT.pdf2.MBR300100CT.pdf
État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock:
1996 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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GeneSiC Semiconductor

Spécifications de MBR300100CT

GeneSiC SemiconductorGeneSiC Semiconductor
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Modèle de produit MBR300100CT Fabricant GeneSiC Semiconductor
La description DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1996 pcs stock Fiche technique 1.MBR300100CT.pdf2.MBR300100CT.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 840mV @ 150A Tension - inverse (Vr) (max) 100V
Package composant fournisseur Twin Tower La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries - Emballage Bulk
Package / Boîte Twin Tower Autres noms MBR300100CTGN
Type de montage Chassis Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Schottky Configuration diode 1 Pair Common Cathode
Description détaillée Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 300A (DC) Chassis Mount Twin Tower Courant - fuite, inverse à Vr 8mA @ 20V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 300A (DC)  
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