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CY14B116N-BZ25XI

CY14B116N-BZ25XI

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Cypress SemiconductorCypress Semiconductor
Modèle de produit:
CY14B116N-BZ25XI
Fabricant / marque:
Cypress Semiconductor
Description du produit:
IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA
Livret des spécifications:
CY14B116N-BZ25XI.pdf
État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock:
1402 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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Spécifications de CY14B116N-BZ25XI

Cypress SemiconductorCypress Semiconductor
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Modèle de produit CY14B116N-BZ25XI Fabricant Cypress Semiconductor
La description IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1402 pcs stock Fiche technique CY14B116N-BZ25XI.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page 25ns Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Package composant fournisseur 165-FBGA (15x17)
Séries - Emballage Tray
Package / Boîte 165-LBGA Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Non-Volatile Taille mémoire 16Mb (1M x 16)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire NVSRAM
Délai de livraison standard du fabricant 9 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 25ns 165-FBGA (15x17) Temps d'accès 25ns
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