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CY14B116N-BA25XIT

CY14B116N-BA25XIT

Cypress Semiconductor
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Cypress SemiconductorCypress Semiconductor
Modèle de produit:
CY14B116N-BA25XIT
Fabricant / marque:
Cypress Semiconductor
Description du produit:
IC NVSRAM 16M PARALLEL
Livret des spécifications:
CY14B116N-BA25XIT.pdf
État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock:
1542 pcs stock
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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Spécifications de CY14B116N-BA25XIT

Cypress SemiconductorCypress Semiconductor
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Modèle de produit CY14B116N-BA25XIT Fabricant Cypress Semiconductor
La description IC NVSRAM 16M PARALLEL État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1542 pcs stock Fiche technique CY14B116N-BA25XIT.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page 25ns Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Package composant fournisseur 60-FBGA (10x18)
Séries - Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 60-TFBGA Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Non-Volatile Taille mémoire 16Mb (1M x 16)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire NVSRAM
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 25ns 60-FBGA (10x18) Temps d'accès 25ns
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